Samsung a anunțat că a depășit un obstacol important în perfecționarea tehnologiei RRAM (resistive random access memory). Inginerii coreeni și oamenii de știință au raportat o îmbunătățire semnificativă a durabilității memoriilor reușind să execute un trilion de operații scriere/ștergere. Performanțele inginerilor de la Samsung sunt extrem de importante pe viitor existând posibilitatea înlocuirii memoriilor NAND Flash cu RRAM.
Compania a utilizat dioxid de tantalum ca bază și nu au apelat la siliciu așa cum e cazul chipset-urilor actuale. Chip-ul experimental îndeplinește standarde ridicate și în ce privește densitatea datelor, viteza deacces și consumul de energie electrică.
