Intel Corporation a anunţat astăzi crearea unui tranzistor-prototip nou, ultra-rapid, dar cu un consum foarte scăzut de energie, realizat cu ajutorul unor noi materiale, care ar putea sta la baza microprocesoarelor ţi altor produse logice ale companiei, începănd din a doua jumătate a deceniului următor.
Cercetătorii de la Intel şi QinetiQ au dezvoltat împreună un tranzistor care foloseşte antimonid de indiu (simbol chimic: InSb) pentru a transmite curentul electric. Tranzistorii controlează fluxul de informaţie/curent electric din interiorul unui cip. Acest tranzistor prototip este mult mai rapid şi consumă mai puţină energie decât tranzistorii lansaţi pe piaţă anterior. Intel anticipează că va folosi acest nou material pentru a completa siliciul, extinzând în continuare Legea lui Moore.
Reducerea semnificativă a consumului de energie la nivelul tranzistorului, însoţită de o creştere substanţială a nivelului de performanţă ar putea să joace un rol esenţial în livrarea viitoarelor platforme către utilizatorii de computere din întreaga lume, permiţând folosirea unui număr sporit de caracteristici şi capabilităţi. Consumul de energie, considerabil mai mic, şi cantitatea de căldură generată ar putea creşte semnificativ durata de viaţă a bateriei pentru dispozitivele mobile şi ar îmbunătăţi astfel oportunităţile pentru construirea unor produse mai mici şi mai performante.
“Rezultatele acestei cercetări ne consolidează încă o dată încrederea în faptul că vom reuşi să respectăm Legea lui Moore şi după 2015. Aşa cum a fost cazul şi cu alte progrese tehnologice realizate de Intel, estimăm că aceste noi materiale vor deschide un viitor mult mai promiţător pentru semiconductorii bazaţi pe siliciu,” a declarat Ken David, director de cercetare în domeniul componentelor, pentru Intel’s Technology and Manufacturing Group. “Asigurând un nivel de performanţă cu 50% mai mare şi reducând simultan consumul de energie de aproximativ 10 ori, acest nou material ne oferă o flexibilitate considerabilă, deoarece vom putea să optimizăm atât nivelul de performanţă, cât şi puterea viitoarelor platforme.”
InSb face parte dintr-o clasă de materiale numită III-V semiconductori compuşi, care se folosesc în prezent pentru o multitudine de dispozitive discrete şi integrate la scară mică, de exemplu amplificatori de frecvenţă radio, dispozitive cu mircounde şi laseri semiconductori.
Cercetătorii de la Intel şi QinetiQ au anunţat anterior că vor lansa pe piaţă tranzistori cu canale de InSb. Tranzistorii-prototip prezentaţi acum, la 85 nm, sunt cei mai mici realizaţi vreodată, având mai puţin de jumătate din dimensiunile celor prezentaţi anterior. Este prima dată când se realizează o demonstraţie cu tranzistori care funcţionează în modul ‘enhancement’. Aceştia reprezintă tipul predominant de tranzistori utilizaţi în microprocesoare şi alte produse logice. Tranzistorii prezentaţi sunt capabili să opereze la un voltaj redus, de aproximativ 0.5 volts – aproximativ jumătate din valoarea corespunzătoare pentru tranzistorii folosiţi în prezent în cipuri – ceea ce duce la obţinerea unor cipuri cu un consum de energie mult mai mic.
“Aceste cercetări reprezintă un exemplu foarte bun asupra modului în care QinetiQ, în colaborare cu alte companii-lider în domeniu, precum Intel, şi concentrează cercetările asupra tehnologiilor cu potenţial comercial,” a declarat Tim Phillips, business manager pentru grupul Fast Transistors din cadrul QinetiQ.
Detaliile vor fi furnizate la conferinţa IEDM organizată în perioada 5-7 decembrie, în Washington, D.C., unde va fi prezentată lucrarea oficială care descrie acest progres. Lucrarea se intitulează “Tranzistori InSb la 85 nm pentru modul „enhancement”, cu utilizare în aplicaţii logice digitale ultra-rapide, cu consum de energie foarte scăzut.”
