Stiri

Memorie flash mai rapida

Samsung a anuntat inceperea productiei in masa a cipurilor de memorie flash de 4 Gb NAND. Acesta memorie flash este realizata in tehnologia de 70 nanometri si poate scrie cu 16MB/s (cu 50% mai rapid decat memoria flash realizata in tehnologia de 90 nanometri). Coincidenta sau nu, Apple a prezentat iPod Shuffle de 2GB, iar versiunea de 4GB va fi disponibila din luna august.



Aflati detalii suplimentaredin comunicat de presa [eng]

Cele mai populare

Mergi la început